Подано результати оригінальних досліджень атомарної структури поверхні Si(100)-4х4 методом скануючої тунельної мікроскопії (СТМ). Окремі СТМ зображення свідчать, що структура досліджуваної поверхні має нецентровану елементарну комірку. В той же час, більшість отриманих нами СТМ зображень демонструють атомарну реконструкцію поверхні і центрованою елементарною коміркою с(4х4). Запропоновано уточнену модель адсорбованих димepiв в якій елементарна комірка структури Si(100)-4x4 є дуже слабко нецентрованою за рахунок узгодженого перекосу димарів. Це стає помітним лише при застосуванні надчутливих СТМ зондів, які рідко вдається виготовляти на практиці. Проведено порівняння експериментальних даних з напівемпіричпими розрахунками атомарних структур на поверхніSi(1OO).
The original results of the scanning tunneling microscopy (STM) investigations of the atomic structure on the Si(100)-4x4 surface are reported Certain STM images demonstrate that the structure of the investigated surface has a non-centered unit cell. Along with those, we were able to reproduce classical images with a symmetrical c(4x4) appearance, which account for most of our STM experiments. A refined mixed ad-dimer model of the Si(100)-4x4 reconstruction is proposed, where the unit cell& is very slightly non-centered due to correlated dimer buckling. It becomes noticeable only while using extremely sensitive STM probe tips, which are rarely produced in practice. A comparison of experimental data with the semi-empirical calculations &of atomic structures on the Si(100) surface is presented.
