Атомна будова та електронні спектри простої крайової дислокації в кристалічному кремнії розраховані методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Атомна структура ядра дислокації змодельована за допомогою чисельного відпалу. Обговорюються зміни густини електронних станів надкомірки, що містить дислокаційний диполь. Показано, що дислокаційна підзона формується над границею валентної зони. За нашими оцінками зайва енергія розглянутої дислокації становить 0.21 еВ на атом.
The atomic structure and electronic spectra of the simple edge dislocation in crystalline Si are calculated by the density functional theory (DFT) in the general gradient approximation (GGA). The atomic structure of the dislocation core is modeled by simulating annealing. Changes in the density of electronic slates of the supercell with dislocation dipole are discussed. We have demonstrated that the dislocation sub-band is formed above the valence-band edge. By our estimation the extra energy of examined dislocation is 0.21 eV per atom..
