Ab Initio Calculation of the Interaction of an Edge Dislocation with Transition Metal Impurity Atoms in Silicon

eng

Увага! Відтепер можна отримати пластиковий читацький квиток також за адресою:
проспект академіка Глушкова 2, кім. 217.
Подробиці читайте тут.

Список містить (0 документів)
Ваше замовлення (0 книжок)
Перегляд стану та історії замовлень
Допомога

Опис документа:


Автор:	Gorkavenko T.V., Plyushchay I.V., Plyushchay O.I.
Назва:	Ab Initio Calculation of the Interaction of an Edge Dislocation with Transition Metal Impurity Atoms in Silicon
Видавництво:	Sumy State University
Рік:	2020
Сторінок:	Р. 05028-1-05028-4
Тип документу:	Стаття
Головний документ:	Journal of nano- and electronic physics

Шукати серед складових частин документу "Journal of nano- and electronic physics"

Розділ:

Назва:

Будь ласка, пишіть 2-3 слова з назви БЕЗ ЗАКІНЧЕНЬ!
Так імовірніше знайти потрібний документ!

слова не коротші ніж 3 символів, розділені пробілами

Автор:

Будь ласка, пишіть прізвище автора без ініціалів!

не коротше ніж 2 символи

є повний текст

Рік видання:

Видавництво:

з по

Види документів:

Книга Брошура Конволют (штучно створена збірка) Рідкісне видання

Автореферат Дисертація

Журнал Газета

Стаття Складова частина документа


	Цей сайт створено за спiльною програмою UNDP та Київського нацiонального унiверситету iменi Тараса Шевченка проект УКР/99/005

	© 2000-2010 yawd, irishka, levsha, alex